Nella cornice del Dell World di Austin in svolgimento in questi giorni nella città texana, Samsung ha presentato il nuovo SSD PM1725, soluzione a stato solido indirizzata al settore data center e basata sulla più recente memoria 3D V-NAND TLC del produttore sudcoreano. Si tratta di un SSD presentato sotto forma di scheda HHHL (Half-Height Half-Length) e con due diversi tagli di storage da 3,2 e 6,4 TB.

Il PM1725 è equipaggiato con un controller EPIC con interfaccia PCI Express 3.0 x8 per garantire le massime prestazioni, che infatti sembrano essere notevoli. Samsung ha infatti dichiarato 6000 MB/s e 2200 MB/s in lettura e scrittura sequenziale e fino a 1.000.000 IOPS in lettura casuale e 120.000 IOPS in scrittura casuale. Non mancano poi feature importanti come la protezione da improvvisa assenza di energia, la funzionalità “dual port” x4/x4 e il supporto multiple namespace.

Nei test eseguiti al Dell World, in cui l’SSD è stato comunque messo sotto torchio con carichi ottimizzati, si sono toccati addirittura i 6,2 GB/s con carichi sequenziali (128K, QD32), mentre con le letture casuali 4 KB l’SSD ha raggiunto 1 milione di IOPS, il valore più alto mai raggiunto da un singolo SSD. Con scritture sequenziali 128 KB si sono toccati i 1955 MB/s; in questo caso non si tratta di un record, ma essendo l’SSD ancora in uno stato prototipale c’è spazio per ulteriori miglioramenti.

Del PM1725 è stata presentata anche una versione da 2,5’’ con interfaccia PCI Express 3.0 x4, tre tagli di storage (800 GB, 1.6 TB e 3.2 TB) e prestazioni fino a 3100 MB/s e 2200 MB/s in lettura e scrittura sequenziale, mentre con operazioni casuali si parla di 750.000 IOPS e 120.000 IOPS (lettura/scrittura).