Secondo voci online sempre più ricorrenti, benché non ancora del tutto confermate, Intel si appresterebbe a investire pesantemente nella produzione massiccia di chip NAND Flash, sfruttando uno dei suoi centri produttivi in Cina (si parla del centro di Dalian). Le indiscrezioni parlano infatti di un investimento da parte di Intel di 5,5 miliardi da spalmare in cinque anni, parte dei quali verrà utilizzata proprio per la riqualificazione e ristrutturazione di questo centro produttivo.

D’altronde le tecnologie collegate alle memorie flash stanno diventando un elemento sempre più critico e importante nella strategia e nella pianificazione produttiva dei più importanti vendor tecnologici. Parliamo soprattutto degli SSD, con soluzioni dedicate al mercato consumer ma anche a quello dei data center, che richiedono un accesso sempre più veloce a grandi quantità di dati.

La decisione di Intel ha già sorpresa doversi analisti, anche perché finora le memorie flash usate dal colosso tech statunitense provenivano dalla joint-venture creata con Micron, mentre quello di Dalian è un impianto di proprietà esclusiva di Intel.

Costruito nel 2007 con un investimento di 2,5 miliardi di dollari, il centro ha iniziato la produzione nel 2010 realizzando chipset a 65 nanometri e quindi necessita di un deciso investimento per essere in grado di passare ai processi più evoluti legati alla produzione delle attuali memorie 3D NAND. Visti i tempi necessari per la riqualificazione del centro, si prevede che la produzione delle nuove memorie NAND Flash non inizierà prima della metà del prossimo anno

A questo punto viene logico pensare che dietro i piani di Intel ci sia anche la produzione della già annunciate memorie 3D XPoint attese sul mercato proprio nel 2016. Difficilmente però Intel, almeno in tempi brevi, riuscirà a realizzarle in completa autonomia senza la collaborazione con Micron, ma è ormai chiaro come nell’immediato futuro del colosso americano ci sia la volontà di rendersi il più possibile autonomo nel campo delle memorie flash.