Snapdragon 835: autonomia e prestazioni super
Al Qualcomm Technology Summit di New York Qualcomm ha presentato il SoC mobile Snapdragon 835, successore dei modelli 820 e 821 rispetto ai quali sarà però realizzato con tecnologia di processo a 10 nanometri FinFet di Samsung, rispetto a quella a 14 nanometri dei predecessori. Lo Snapdragon 835, conosciuto fino a oggi con la sigla 830, sarà destinato a dispositivi mobile di fascia alta che vedremo sul mercato a partire da metà 2017.
Il passo evolutivo rappresentato dal processo a 10 nanomentri è molto importante, visto che permetterà allo Snapdragon 835 di garantire migliori prestazioni e una maggiore efficienza energetica. A detta di Qualcomm infatti, se paragonato con sistemi a 14 nanometri FinFet, il chip a 10 nm mostrerà incrementi del 27% nelle prestazioni a fronte di una riduzione del 30% nei consumi di batteria.
Un altro vantaggio sarà nelle dimensioni più contenute del chip, che si tradurranno in spazio risparmiato o lasciato libero per altri componenti; come conseguenze dirette si potranno avere smartphone più sottili o con batterie più grandi, a tutto vantaggio dell’estetica e dell’autonomia.
Lo Snapdragon 835 integrerà anche la quarta generazione della tecnologia di ricarica Quick Charge. I vantaggi ottenibili riguardano innanzitutto i tempi di ricarica, ridotti di circa il 20% rispetto alla precedente generazione. Sempre secondo Qualcomm dopo soli cinque minuti di collegamento dello smartphone all’alimentazione si può ottenere energia sufficiente per cinque o più ore di funzionamento.
Il Quick Charge 4 promette anche di migliorare la sicurezza fisica degli smartphone, determinando in modo più preciso i parametri di voltaggio, corrente, temperatura per evitare rischi di surriscaldamento o di esplosione (chi ha detto Galaxy Note 7?).
Da New York Qualcomm ha annunciato infine un nuovo bounty program che mette in palio ricompense fino a 15.000 dollari per chi aiuti a individuare delle vulnerabilità all’interno dei processori della famiglia Snapdragon, dei modem LTE e delle tecnologie correlate.
