Con le nuove memorie DDR4 svelate ieri, Samsung vuole fornire un deciso boost di velocità e consumi sempre minori ai laptop, ai tablet e agli ibridi. Il colosso sudcoreano ha iniziato la produzione in massa di questi nuovi moduli DDR4 basati sul processo di produzione a 10 nanometri destinati a trovare posto anche in ambiente server.

Stando a Samsung, la nuova DRAM è più veloce e consuma molto meno rispetto ai modelli precedenti a 20 nanometri. Parliamo infatti di una memoria che può raggiungere i 3.200 MHz contro i precedenti 2.400 MHz dei chip DDR4 della scorsa generazione, senza dimenticare che i nuovi moduli sono più piccoli e consumano dal 10 al 20% in meno rispetto alla DRAM a 20 nanometri.

Non deve quindi stupire che Samsung, dopo che nel 2014 le memorie DDR4 sono entrate a far parte anche degli ambienti server, voglia proporre la sua nuova DRAM anche per applicazioni server su larga scala, soprattutto per i database in-memory che potrebbero trarre grossi vantaggi da questa maggiore velocità di trasferimento tra DRAM e storage.

Samsung proporrà inizialmente le nuove memorie a 10 nanometri partendo da moduli da 4 GB per notebook per arrivare a soluzioni da 128 GB per i server enterprise. La data di uscita non è ancora stata comunicata, ma dovremmo vedere i primi esemplari nel corso dell’anno. Nei prossimi mesi Samsung introdurrà la DRAM DDR4 a 10 nanometri anche in ambito smartphone e ciò, secondo la compagnia, “rafforzerà la nostra leadership nel mercato degli smartphone ultra-HD”.

A dire il vero sono già disponibili sul mercato alcuni smartphone con memoria DDR4 a basso consumo (LPDDR4) e quindi Samsung potrebbe riferirsi a modelli di DDR4 più veloci di quelli attuali a basso consumo e, proprio grazie al processo a 10 nanometri, questi prossimi moduli mobile potrebbero diventare energicamente “virtuosi” come gli attuali LPDDR4.